[发明专利]一种超结构LED芯片及其制备方法有效
申请号: | 201810027476.2 | 申请日: | 2018-01-11 |
公开(公告)号: | CN108389954B | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 李国强 | 申请(专利权)人: | 河源市众拓光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/00 |
代理公司: | 44288 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 罗晶;高淑怡<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 517000 广东省河*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种超结构LED芯片,包括键合衬底和发光层级结构,所述键合衬底与发光层级结构之间还依次设有第一粘附层、阻挡层、键合层和第二粘附层,所述第一粘附层粘附于键合衬底,所述第二粘附层粘附于发光层级结构;其中,所述第一粘附层为Cr粘附层、Pt粘附层或者Cr/Pt粘附层,所述阻挡层为Ti阻挡层,所述键合层由若干Ni/Sn键合层叠加而成,所述Ni/Sn键合层中,Sn层的厚度为Ni层的厚度的1~8倍,所述第二粘附层为Ti粘附层。本发明还公开了一种超结构LED芯片的制备方法。本发明超结构LED芯片中键合衬底与发光层级结构之间键合良好,电极与基板之间接触良好,使用寿命长。 | ||
搜索关键词: | 粘附层 层级结构 超结构 发光 键合层 阻挡层 键合 粘附 制备 使用寿命 电极 基板 | ||
【主权项】:
1.一种超结构LED芯片,其特征在于,包括键合衬底和发光层级结构,所述键合衬底与发光层级结构之间还依次设有第一粘附层、阻挡层、键合层和第二粘附层,所述第一粘附层粘附于键合衬底,所述第二粘附层粘附于发光层级结构;/n其中,所述第一粘附层为Cr粘附层、Pt粘附层或者Cr/Pt粘附层,所述阻挡层为Ti阻挡层,所述键合层由若干Ni/Sn键合层叠加而成,所述Ni/Sn键合层中,Sn层的厚度为Ni层的厚度的1~8倍,所述第二粘附层为Ti粘附层;所述键合层由1~20层Ni/Sn键合层叠加而成,所述Ni/Sn键合层中,Sn层的厚度为Ni层的厚度的2倍。/n
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