[发明专利]一种超结构LED芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810027476.2 申请日: 2018-01-11
公开(公告)号: CN108389954B 公开(公告)日: 2019-11-22
发明(设计)人: 李国强 申请(专利权)人: 河源市众拓光电科技有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/00
代理公司: 44288 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 代理人: 罗晶;高淑怡<国际申请>=<国际公布>=
地址: 517000 广东省河*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种超结构LED芯片,包括键合衬底和发光层级结构,所述键合衬底与发光层级结构之间还依次设有第一粘附层、阻挡层、键合层和第二粘附层,所述第一粘附层粘附于键合衬底,所述第二粘附层粘附于发光层级结构;其中,所述第一粘附层为Cr粘附层、Pt粘附层或者Cr/Pt粘附层,所述阻挡层为Ti阻挡层,所述键合层由若干Ni/Sn键合层叠加而成,所述Ni/Sn键合层中,Sn层的厚度为Ni层的厚度的1~8倍,所述第二粘附层为Ti粘附层。本发明还公开了一种超结构LED芯片的制备方法。本发明超结构LED芯片中键合衬底与发光层级结构之间键合良好,电极与基板之间接触良好,使用寿命长。
搜索关键词: 粘附层 层级结构 超结构 发光 键合层 阻挡层 键合 粘附 制备 使用寿命 电极 基板
【主权项】:
1.一种超结构LED芯片,其特征在于,包括键合衬底和发光层级结构,所述键合衬底与发光层级结构之间还依次设有第一粘附层、阻挡层、键合层和第二粘附层,所述第一粘附层粘附于键合衬底,所述第二粘附层粘附于发光层级结构;/n其中,所述第一粘附层为Cr粘附层、Pt粘附层或者Cr/Pt粘附层,所述阻挡层为Ti阻挡层,所述键合层由若干Ni/Sn键合层叠加而成,所述Ni/Sn键合层中,Sn层的厚度为Ni层的厚度的1~8倍,所述第二粘附层为Ti粘附层;所述键合层由1~20层Ni/Sn键合层叠加而成,所述Ni/Sn键合层中,Sn层的厚度为Ni层的厚度的2倍。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河源市众拓光电科技有限公司,未经河源市众拓光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810027476.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top