[发明专利]一种石墨烯基场发射冷阴极及制备方法有效
| 申请号： | 201810027577.X | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108335955B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 张跃;王钦玉;廖庆亮;张铮;康卓 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;H01J19/24 |
| 代理公司： | 11401 北京金智普华知识产权代理有限公司 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于真空电子技术和新型碳材料技术的交叉领域，具体涉及一种石墨烯基场发射冷阴极及制备方法。场发射冷阴极由基片和发射体组成，基片作为导电基底为硅片或者金属片，发射体为石墨烯薄膜层。石墨烯薄膜层与基底紧密接触，厚度为20μm~180μm，由团簇粒径为15μm~45μm的石墨烯团簇构成。本发明的石墨烯基冷阴极可用上述方法制备，呈阵列式形貌，具有开起电场低、阈值电场低、发射电流大等良好的性能优势，可作为一种优异的电子源应用于场发射显示（FED）等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 场发射冷阴极 石墨烯薄膜层 石墨烯基 发射体 团簇 制备 真空电子技术 形貌 场发射显示 新型碳材料 电场 发射电流 性能优势 阈值电场 导电基 电子源 金属片 冷阴极 石墨烯 阵列式 硅片 基底 可用 粒径 应用 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯基场发射冷阴极，其特征在于，该场发射冷阴极包括导电基片和石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层为该阴极的发射体，所述导电基片与所述石墨烯薄膜层紧密接触；/n所述石墨烯薄膜层的厚度为20μm～180μm；石墨烯薄膜层由微米级石墨烯团簇构成，所述石墨烯团簇的粒径为15μm～45μm；/n所述石墨烯薄膜层的底部由石墨烯团簇紧密连续排列形成石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜层顶部由石墨烯团簇非连续排列形成阵列式形貌；/n石墨烯基场发射阴极的开启电场为1.52V/μm。/n
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