[发明专利]一种X射线波带片制备系统有效
申请号: | 201810028022.7 | 申请日: | 2018-01-11 |
公开(公告)号: | CN108300980B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 王胜涛;卢维尔;夏洋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种X射线波带片制备系统。所述系统包括:腔室;第一前驱体通入管路,第一前驱体通入管路与腔室的一端连通,用于将第一前驱体输送进腔室;第二前驱体通入管路,第二前驱体通入管路与腔室的一端连通,用于将第二前驱体输送进腔室;夹具,夹具设置在腔室内,用于固定柱状细丝形的衬底;马弗炉,马弗炉包裹着腔室,用于加热腔室;抽气管路,抽气管路的一端与腔室的另一端连通;真空泵,真空泵与抽气管路的另一端相连,真空泵通过抽气管路将腔室内抽为真空。本发明可以实现同时在多根柱状细丝形的衬底上实现两种波带片材料交替生长,提高波带片的加工效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 射线 波带片 制备 系统 | ||
【主权项】:
1.一种X射线波带片制备系统,其特征在于,所述系统包括:腔室;第一前驱体通入管路,所述第一前驱体通入管路与所述腔室的一端连通,用于将第一前驱体输送进所述腔室;第二前驱体通入管路,所述第二前驱体通入管路与所述腔室的一端连通,用于将第二前驱体输送进所述腔室;夹具,所述夹具设置在所述腔室内,用于固定柱状细丝形的衬底;马弗炉,所述马弗炉包裹着所述腔室,用于加热所述腔室;抽气管路,所述抽气管路的一端与所述腔室的另一端连通;真空泵,所述真空泵与所述抽气管路的另一端相连,所述真空泵通过所述抽气管路将所述腔室内抽为真空。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的