[发明专利]拓扑储能材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810028183.6 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108199049B | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 吴孟强;陈治;徐自强;陈诚;涂铖阳;陈金琛;杨俭 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/62 | 分类号： | H01M4/62 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明提供一种拓扑储能材料及其制备方法，包括：拓扑绝缘体、高容量储能材料以及包覆在前面两种材料外层的包覆材料，高容量储能材料是指比容量500mAh/g的电池负极材料；拓扑绝缘体包括Bi |
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| 搜索关键词： | 拓扑 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种拓扑储能材料，其特征在于包括：拓扑绝缘体、高容量储能材料以及包覆在前面两种材料外层的包覆材料，所述高容量储能材料是指比容量>500mAh/g的电池负极材料。
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