[发明专利]一种实现透明可拉伸电极超高精度图案化的方法有效
| 申请号： | 201810028770.5 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN110034007B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 汤庆鑫;赵晓丽;刘益春;童艳红;崔楠 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 130024 吉林省长*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现透明可拉伸电极超高精度图案化的方法。该方法包括衬底自组装修饰；在修饰过的衬底上制备透明的PEDOT:PSS/SWCNTs复合电极；复合导电薄膜通过光刻实现图案化；氧等离子体刻蚀；衬底再次修饰；旋涂透明的弹性聚合物和聚合物的固化；将透明可拉伸电极从衬底上剥离等步骤。该方法采用全溶液法，实现了透明可拉伸导电薄膜的制备及其图案化；操作简单，成本低；可拉伸电极图案化精确度高，可以实现复杂图案，满足其在不同电子领域上的应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 透明 拉伸 电极 超高 精度 图案 方法 | ||
【主权项】：
1.一种PEDOT：PSS/SWCNTs复合电极，由PEDOT:PSS导电薄膜和位于所述PEDOT:PSS导电薄膜上的SWCNTs层组成；所述PEDOT代表聚3，4‑乙烯二氧噻吩；PSS代表聚苯乙烯磺酸钠；所述SWCNTs代表单壁碳纳米管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
