[发明专利]一种简单可靠低成本碳化硅功率开关器件驱动电路有效

专利信息
申请号: 201810028920.2 申请日: 2018-01-12
公开(公告)号: CN108063542B 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 赵振兴;李立;龚志鹏;曾钢燕;康迎曦;向道朴;胡鹤宇 申请(专利权)人: 湖南工程学院
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02M1/38;H02M3/335
代理公司: 北京精金石知识产权代理有限公司 11470 代理人: 刘先荣
地址: 411101 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种简单可靠低成本碳化硅功率开关器件驱动电路,所述驱动电路包括:全桥推挽电路、隔离驱动变压器、栅极正压驱动电路、栅极负压驱动电路;全桥推挽电路由两个N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和两个P型MOSFET组成,全桥推挽电路前后桥臂的中心通过一个并联RC电路与隔离驱动变压器的初级绕组分别相连;所述隔离驱动变压器的两个次级绕组与栅极正压驱动电路、栅极负压驱动电路一起完成上、下桥臂碳化硅功率器件的直接驱动。本发明提供的碳化硅功率开关器件驱动电路能给出较高的正向驱动电压和较低的反向关断电压,避免串扰干扰,电路简单,成本低,可避免上下桥臂直通,初次级电气隔离,可靠性高。
搜索关键词: 一种 简单 可靠 低成本 碳化硅 功率 开关 器件 驱动 电路
【主权项】:
1.一种简单可靠低成本碳化硅功率开关器件驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括:全桥推挽电路、隔离驱动变压器、栅极正压驱动电路、栅极负压驱动电路;全桥推挽电路由两个N型MOSFET和两个P型MOSFET组成,全桥推挽电路前后桥臂的中心通过一个并联RC电路与隔离驱动变压器的初级绕组分别相连;所述隔离驱动变压器的两个次级绕组与栅极正压驱动电路、栅极负压驱动电路一起完成上、下桥臂碳化硅功率器件的直接驱动。
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