[发明专利]少层MoS2有效

专利信息
申请号: 201810029005.5 申请日: 2018-01-12
公开(公告)号: CN108579768B 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 吕建国 申请(专利权)人: 合肥师范学院
主分类号: B01J27/051 分类号: B01J27/051;B01J35/02;C02F1/30;C02F101/36;C02F101/38
代理公司: 常州兴瑞专利代理事务所(普通合伙) 32308 代理人: 肖兴坤
地址: 230601 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种少层MoS2修饰Ag‑TiO2纳米复合薄膜的制备方法,方法的步骤中含有:(a)制备TiO2纳米薄膜;(b)制备Ag‑TiO2纳米复合薄膜;(c)制备少层MoS2修饰Ag‑TiO2纳米复合薄膜:对得到的Ag‑TiO2纳米复合薄膜进行紫外光照处理,处理结束后,然后至少进行二次少层MoS2修饰步骤,得到少层MoS2修饰Ag‑TiO2纳米复合薄膜;其中,每次少层MoS2修饰步骤中包括:在Ag‑TiO2纳米复合薄膜表面滴适量少层MoS2分散液,待少层MoS2分散液润湿Ag‑TiO2纳米复合薄膜表面后,将少层MoS2分散液均匀涂覆于Ag‑TiO2纳米复合薄膜表面,然后烘干处理。该方法制备过程简单,原材料成本相对较低,无毒,并且利用少层MoS2和Ag纳米颗粒的协同作用使得该薄膜具有较高的可见光催化降解效率,而且制备得到的薄膜易于回收和重复利用。
搜索关键词: mos base sub
【主权项】:
1.一种少层MoS2修饰Ag‑TiO2纳米复合薄膜的制备方法,其特征在于方法的步骤中含有:(a)制备TiO2纳米薄膜;(b)制备Ag‑TiO2纳米复合薄膜:在TiO2纳米薄膜表面负载Ag纳米颗粒,然后烘干得到Ag‑TiO2纳米复合薄膜;(c)制备少层MoS2修饰Ag‑TiO2纳米复合薄膜:对得到的Ag‑TiO2纳米复合薄膜进行紫外光照处理,处理结束后,然后至少进行二次少层MoS2修饰步骤,得到少层MoS2修饰Ag‑TiO2纳米复合薄膜;其中,每次少层MoS2修饰步骤中包括:在Ag‑TiO2纳米复合薄膜表面滴适量少层MoS2分散液,待少层MoS2分散液润湿Ag‑TiO2纳米复合薄膜表面后,将少层MoS2分散液均匀涂覆于Ag‑TiO2纳米复合薄膜表面,然后烘干处理。
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