[发明专利]硬掩模组合物、其制法和使用其形成图案化的层的方法在审

申请号：	201810030517.3	申请日：	2018-01-12
公开（公告）号：	CN109256328A	公开（公告）日：	2019-01-22
发明（设计）人：	李东郁;金尚元;薛珉洙;朴晟准;申铉振;李润姓;郑盛骏;A.郑	申请（专利权）人：	三星电子株式会社
主分类号：	H01L21/027	分类号：	H01L21/027;H01L21/033
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	王华芹
地址：	韩国***	国省代码：	韩国;KR
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	提供硬掩模组合物、其制法和使用其形成图案化的层的方法。所述硬掩模组合物可包括石墨烯量子点、金属化合物、和溶剂。所述金属化合物可与所述石墨烯量子点化学键合(例如，共价键合)。所述金属化合物可包括金属氧化物、金属碳化物、或其组合。所述金属氧化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)氧化物、钛(Ti)氧化物、钨(W)氧化物、或铝(Al)氧化物，和所述金属碳化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)碳化物、钛(Ti)碳化物、钨(W)碳化物、或铝(Al)碳化物。所述石墨烯量子点可通过M‑O‑C键或M‑C键与所述金属化合物键合，其中M为金属元素，O为氧，且C为碳。
搜索关键词：	金属化合物碳化物氧化物硬掩模组合物量子点石墨烯金属碳化物金属氧化物图案化制法共价键合化学键合金属元素溶剂键合
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.硬掩模组合物，其包括：石墨烯量子点；与所述石墨烯量子点化学键合的金属化合物；和溶剂。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810030517.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。

上一篇：一种Cdot@C3N4改性的TCO玻璃及其制备方法
下一篇：基片位置调整方法、存储介质和基片处理系统

同类专利

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]硬掩模组合物、其制法和使用其形成图案化的层的方法在审

专利文献下载