[发明专利]III-V族氮化物深紫外发光二极管结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201810030554.4 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN110034216A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 孙钱;冯美鑫;高宏伟;周宇;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/20;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种III族氮化物深紫外发光二极管结构及其制作方法。其中，所述的制作方法包括：在衬底上生长形成深紫外发光二极管的外延结构的步骤，所述外延结构包括依次在衬底上形成的n型接触层、有源区、电子阻挡层和p型接触层，以及，制作分别与n型接触层、p型接触层电连接的n型电极、p型电极的步骤；并且还包括在位于所述发光二极管结构n侧的出光面上加工形成所述取光增强的微纳结构的步骤，所述出光面为 |
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| 搜索关键词： | 深紫外发光二极管 外延结构 制作 衬底 发光二极管结构 电子阻挡层 器件性能 取光效率 微纳结构 制作工艺 出光面 氮化物 电连接 规模化 氮面 结温 热阻 源区 生长 加工 | ||
【主权项】：
1.一种III‑V族氮化物深紫外发光二极管结构，包括依次设置的n型接触层、有源区、电子阻挡层和p型接触层，所述n型接触层、p型接触层分别与n型电极、p型电极电连接，其特征在于：位于所述发光二极管结构n侧的出光面为![]()
氮面，且所述![]()
氮面上形成有取光增强的微纳结构。
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