[发明专利]场效应二极管及包括其的全波整流电桥和能量管理电路在审
| 申请号： | 201810030716.4 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN109427878A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 梅增霞;张永晖;梁会力;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L27/085 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;李科 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种场效应二极管及包括其的全波整流电桥和能量管理电路，所述场效应二极管包括：绝缘层；位于所述绝缘层的相对两侧的沟道层和第一正电极；与所述沟道层相接触的负电极和第二正电极，所述第二正电极与第一正电极电连接；其中所述负电极和第一正电极之间具有错排区域。本发明的场效应二极管中的错排区域能够吸收电压降。 | ||
| 搜索关键词： | 正电极 场效应二极管 绝缘层 能量管理电路 全波整流电桥 负电极 沟道层 错排 相对两侧 电连接 电压降 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种场效应二极管，其特征在于，包括：绝缘层；位于所述绝缘层的相对两侧的沟道层和第一正电极；与所述沟道层相接触的负电极和第二正电极，所述第二正电极与第一正电极电连接；其中所述负电极和第一正电极之间具有错排区域。
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