[发明专利]基于复合势垒层结构的III族氮化物增强型HEMT及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于复合势垒层结构的III族氮化物增强型HEMT及其制作方法。所述HEMT包括分别作为沟道层、势垒层的第一、第二半导体，作为p型层的第三半导体，源极、漏极以及栅极等；其中势垒层上对应于栅极的区域内形成有凹槽结构，其与第三半导体及栅极配合形成p型栅，并且第二半导体包括依次设置于第一半导体上的第一、第二结构层；相对于选定刻蚀试剂，第一结构层较之第二结构层具有更高耐刻蚀性能。本发明的HEMT结构可被更为精确地调控，同时还具有更佳器件性能，如正向栅极漏电和栅阈值电压摆幅被显著改善，器件阈值电压的片内均匀性可以得到保证，同时其更易于制作，适用于规模生产。

主权项

1.一种基于复合势垒层结构的III族氮化物增强型HEMT，包括异质结、具有第二导电类型的第三半导体、源极、漏极以及栅极；所述异质结包括具有第一导电类型的第一半导体和第二半导体，所述第二半导体设置于第一半导体上并具有宽于第一半导体的带隙，至少在所述第二半导体上对应于栅极的区域内还形成有凹槽结构，所述第三半导体至少局部设置于所述凹槽结构中，所述源极与漏极能够通过形成于所述异质结内的二维电子气电连接，所述栅极设置于源极与漏极之间并与第三半导体连接；其特征在于，所述第二半导体包括设置于第一半导体上的第一结构层和设置于第一结构层上的第二结构层，并且，相对于选定刻蚀试剂，所述第一结构层较之第二结构层具有更高耐刻蚀性能。