[发明专利]一种非制冷红外探测器芯片及其封装结构和制备方法有效

专利信息
申请号: 201810031317.X 申请日: 2018-01-12
公开(公告)号: CN108389912B 公开(公告)日: 2020-02-28
发明(设计)人: 蔡光艳;马占锋;高健飞;黄立 申请(专利权)人: 武汉高芯科技有限公司
主分类号: H01L31/02 分类号: H01L31/02;H01L31/18
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张强
地址: 430205 湖北省武汉*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种利用MEMS(微机电)工艺制备的芯片及其封装结构,通过在芯片主体上生长出牺牲层,利用MEMS工艺刻蚀牺牲层并注入金属,由此将PAD(芯片上的电路外接点)转移到芯片侧壁,同时通过在划片槽中相应的地方注入金属连接相邻芯片侧壁的PAD,从而把侧壁的PAD引到侧壁底端,再通过切割划片槽获得侧壁带PAD的单个芯片,此方法得到的芯片,直接上下贴合即可完成电连接,用简单的封装卡槽即可进行集成,且适用于芯片级封装、圆晶级封装、像元级封装,省去了封装打线的工艺、减小了芯片封装面积,其集成度高,工艺步骤简化,可大批量生产,且成本进一步减小。
搜索关键词: 一种 制冷 红外探测器 芯片 及其 封装 结构 制备 方法
【主权项】:
1.一种芯片,所述芯片的左右两端各包括一列PAD,其特征在于,每个所述PAD包括位于芯片侧壁的外引脚,所述外引脚的上下端与芯片的上下表面平齐,所述外引脚的下端作为所述芯片的输出端。
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