[发明专利]一种非制冷红外探测器芯片及其封装结构和制备方法有效
申请号: | 201810031317.X | 申请日: | 2018-01-12 |
公开(公告)号: | CN108389912B | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 蔡光艳;马占锋;高健飞;黄立 | 申请(专利权)人: | 武汉高芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/18 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张强 |
地址: | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种利用MEMS(微机电)工艺制备的芯片及其封装结构,通过在芯片主体上生长出牺牲层,利用MEMS工艺刻蚀牺牲层并注入金属,由此将PAD(芯片上的电路外接点)转移到芯片侧壁,同时通过在划片槽中相应的地方注入金属连接相邻芯片侧壁的PAD,从而把侧壁的PAD引到侧壁底端,再通过切割划片槽获得侧壁带PAD的单个芯片,此方法得到的芯片,直接上下贴合即可完成电连接,用简单的封装卡槽即可进行集成,且适用于芯片级封装、圆晶级封装、像元级封装,省去了封装打线的工艺、减小了芯片封装面积,其集成度高,工艺步骤简化,可大批量生产,且成本进一步减小。 | ||
搜索关键词: | 一种 制冷 红外探测器 芯片 及其 封装 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种芯片,所述芯片的左右两端各包括一列PAD,其特征在于,每个所述PAD包括位于芯片侧壁的外引脚,所述外引脚的上下端与芯片的上下表面平齐,所述外引脚的下端作为所述芯片的输出端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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