[发明专利]超级结肖特基二极管与其制作方法有效
| 申请号： | 201810032255.4 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108336129B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 董升旭;白云;田晓丽;汤益丹;杨成樾;陈宏;王臻星;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种超级结肖特基二极管与其制作方法。该超级结肖特基二极管包括：N+型衬底；N型外延层，设置在N+型衬底的表面上，N型外延层中具有依次叠置设置的P区和P+区，P+区的远离P区的表面为N型外延层的部分表面；正面金属层，设置在N型外延层的远离N+型衬底的至少部分表面上，以使正面金属层与N型外延层形成肖特基结。该超级结肖特基二极管的反向击穿电压较大，能够应用于高压领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 结肖特基 二极管 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种超级结肖特基二极管，其特征在于，所述超级结肖特基二极管包括多个元胞结构，各所述元胞结构包括：N+型衬底(20)；N型外延层(30)，设置在所述N+型衬底(20)的表面上，所述N型外延层(30)中具有依次叠置设置的P区(31)和P+区(32)，所述P+区(32)的远离所述P区(31)的表面为所述N型外延层(30)的部分表面；以及正面金属层(40)，设置在所述N型外延层(30)的远离所述N+型衬底(20)的至少部分表面上，以使所述正面金属层(40)与所述N型外延层(30)形成肖特基结。
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