[发明专利]双向可控硅结构在审
| 申请号： | 201810035310.5 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN110047921A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 杜飞波;王俊;苏振江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747;H01L23/60;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙) 11597 | 代理人： | 刘锋 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种双向可控硅结构，包括：P型衬底；深N阱；并列形成于深N阱并依次邻接的第一N型阱区、第一P型阱区、第二N型阱区、第二P型阱区和第三N型阱区；形成于第一P型阱区的第一P型掺杂区和第一N型掺杂区；形成于第二P型阱区的第二P型掺杂区和第二N型掺杂区；第一P型静电放电注入区，形成于第一P型阱区；第二P型静电放电注入区，形成于第二P型阱区；第三N型掺杂区，形成于第一P型静电放电注入区、第二N型阱区和第二P型静电放电注入区，两个相对的边界分别位于第一P型静电放电注入区和第二P型静电放电注入区。通过形成辅助触发结构，降低了现有改进型双向可控硅静电放电的触发电压。 | ||
| 搜索关键词： | 静电放电 注入区 双向可控硅 深N阱 触发电压 辅助触发 改进型 邻接 衬底 并列 申请 | ||
【主权项】：
1.一种双向可控硅结构，其特征在于，包括：P型衬底；深N阱，形成于P型衬底；并列形成于所述深N阱并依次邻接的第一N型阱区、第一P型阱区第二N型阱区、第二P型阱区和第三N型阱区；形成于第一P型阱区的第一P型掺杂区和第一N型掺杂区；形成于第二P型阱区的第二P型掺杂区和第二N型掺杂区；第一P型静电放电注入区，形成于第一P型阱区，掺杂浓度高于第一P型阱区并且低于第一P型掺杂区；第二P型静电放电注入区，形成于第二P型阱区，掺杂浓度高于第二P型阱区并且低于第二P型掺杂区；第三N型掺杂区，形成于第一P型静电放电注入区、第二N型阱区和第二P型静电放电注入区，两个相对的边界分别位于所述第一P型静电放电注入区和第二P型静电放电注入区；第一端子，与所述第一P型掺杂区和第一N型掺杂区耦接；第二端子，与所述第二P型掺杂区和第二N型掺杂区耦接。
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