[发明专利]电阻性内存单元的准定压降自我中止写入方法及其电路有效
| 申请号： | 201810035565.1 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN110047523B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 黄志仁 | 申请（专利权）人： | 珠海兴芯存储科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 519080 广东省珠海市高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种电阻性内存单元的准定压降自我中止写入方法。该方法包含下列步骤：建立写入电压及流过电阻性内存单元的写入电流；复制该写入电流，以产生复制写入电流；使该复制写入电流流过仿真电路，以产生仿真写入电压；将仿真写入电压以一随写入时间依比例微幅增加与参考电压相加，以产生写入参考电压；及根据写入参考电压来调整写入电压及写入电流，致使电阻性内存单元的两端跨压在写入期间保持固定或微幅增加。当该复制写入电流到达预定的目标电流值时，发出中止信号；及该中止信号将相关写入电路关闭，以使该电阻性内存单元的写入期间优化。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 内存 单元 准定 自我 中止 写入 方法 及其 电路 | ||
【主权项】：
1.一种电阻性内存单元的准定压降写入方法，其特征在于，包含：建立写入电压及流过电阻性内存单元的写入电流；复制该写入电流，以产生一定比例的复制写入电流；使该复制写入电流流过仿真电路，以产生仿真写入电压；将该仿真写入电压以一随写入时间依比例微幅增加与参考电压相加，以产生写入参考电压；及根据该写入参考电压来调整该写入电压及该写入电流，致使该电阻性内存单元的两端跨压在写入期间保持固定或微幅增加。
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