[发明专利]一种BT-KBT-NN基高储能密度陶瓷及其制备方法在审
| 申请号： | 201810035863.0 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN108147812A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 蒲永平;万晶 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 齐书田 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种BT‑KBT‑NN基高储能密度陶瓷及其制备方法，首先制备BT预烧粉体、KBT预烧粉体和NN预烧粉体；其次将BT预烧粉体、KBT预烧粉体和NN预烧粉体按照化学式(1‑x)(0.92BaTiO3‑0.08(K0.5Bi0.5)TiO3)‑xNaNbO3配料，其中x为0.02‑0.08，x为摩尔百分数，混合均匀后烘干，然后压片、成型后得到混合料片；然后将混合料片进行烧结，即得到BT‑KBT‑NN基高储能密度陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 预烧粉体 密度陶瓷 高储能 制备 混合料 摩尔百分数 烧结 烘干 压片 成型 | ||
【主权项】：
一种BT‑KBT‑NN基高储能密度陶瓷，其特征在于，所述BT‑KBT‑NN基高储能密度陶瓷的化学式为(1‑x)(0.92BaTiO3‑0.08(K0.5Bi0.5)TiO3)‑xNaNbO3，其中x为0.04‑0.08，x为摩尔百分数。
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