[发明专利]CMOS图像传感器及其形成方法

摘要

一种CMOS图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括光电二极管区域、掺杂区域以及沟道区域；在所述光电二极管区域周围的半导体衬底内形成沟槽，所述沟槽自所述沟道区域开始并向所述光电二极管区域的远端延伸，所述远端为所述光电二极管区域远离所述沟道区域的一端；在所述沟槽内形成隔离介质层以及延伸栅极；对所述光电二极管区域以及掺杂区域进行离子注入；在所述沟道区域的半导体衬底表面依次形成栅介质层和传输栅极，所述传输栅极位于所述栅介质层表面，其中，所述传输栅极与所述延伸栅极连接。本发明方案可以减少在光电二极管区域远端的电荷残留，有助于提高器件性能。

主权项

1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括光电二极管区域、掺杂区域以及位于所述光电二极管区域和掺杂区域之间的沟道区域；在所述光电二极管区域周围的半导体衬底内形成沟槽，所述沟槽自所述沟道区域开始并向所述光电二极管区域的远端延伸，所述远端为所述光电二极管区域远离所述沟道区域的一端；在所述沟槽内形成隔离介质层以及延伸栅极，所述隔离介质层覆盖所述沟槽的底部和侧壁，所述延伸栅极填充所述沟槽并位于所述隔离介质层上；对所述光电二极管区域以及掺杂区域进行离子注入，以在所述光电二极管区域内形成光电二极管，在所述掺杂区域内形成浮置扩散区；在所述沟道区域的半导体衬底表面依次形成栅介质层和传输栅极，所述传输栅极位于所述栅介质层表面，其中，所述传输栅极与所述延伸栅极连接。