[发明专利]用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备有效
| 申请号： | 201810036470.1 | 申请日： | 2011-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN107968032B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | X·王;A·恩盖耶;C·李;X·何;M·沈 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 金红莲;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备。本发明还提供用于使用原位沉积的腔室涂层的等离子体处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用的某些腔室清洁实施例包括基于NF |
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| 搜索关键词： | 用以 降低 等离子体 蚀刻 中的 粒子 缺陷 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理方法，包括：利用第一等离子体工艺将包括SiOx的涂层沉积至腔室表面上，其中所述第一等离子体工艺包括至少与氧化源气体组合的含硅源气体，并且其中不含氟的气体被包含在所述第一等离子体工艺中，其中x大于零；利用第二等离子体工艺在所述等离子体腔室中蚀刻工件，其中所述第二等离子体工艺与所述第一等离子体工艺不同，并且其中所述第一等离子体工艺的工艺压力小于所述第二等离子体工艺的工艺压力；从所述腔室移除所述工件；并且在移除所述工件之后利用第三等离子体工艺执行所述腔室表面的清洁，其中所述第三等离子体工艺包括低压等离子体清洁和高压等离子体清洁，所述低压等离子体清洁利用包含NF3的第一工艺气体，以及所述高压等离子体清洁利用第二工艺气体，所述第二工艺气体包含Cl2或O2中的至少一者以及NF3。
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