[发明专利]一种扫描式高能微束X射线制备应变硅的方法有效
申请号: | 201810037474.1 | 申请日: | 2018-01-15 |
公开(公告)号: | CN108281353B | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 陈凯;潘志豪;朱文欣 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 何会侠 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种扫描式高能微束X射线制备应变硅的方法,涉及集成电路制造领域;该方法包括以下步骤:合成出一个Si/SiO2双层复合结构体系,其结构为上表面覆盖有二氧化硅层的硅薄膜,使用高能微束X射线按照一定先后顺序依次照射Si/SiO2双层复合结构体系中预期产生应变的区域以制备局部应变的应变硅;本发明首次使用了高能微束X射线的方法,利用微束X射线束斑面积极小的特点,实现精准选择与控制应变硅应变区域,并在不同应变区域产生大小可控的应变量的目的;该方法具有应变区域和大小精准可控,工作温度低,无引入中杂质,工艺简单,应变量范围大,对硅无损伤等优点,有望在半导体集成电路、微纳电子器件等领域广泛应用。 | ||
搜索关键词: | 微束 应变硅 应变区域 制备 双层复合结构 扫描式 应变量 半导体集成电路 集成电路制造 微纳电子器件 二氧化硅层 精准选择 局部应变 首次使用 硅薄膜 可控的 上表面 硅无 可控 损伤 照射 合成 引入 覆盖 应用 | ||
【主权项】:
1.一种扫描式高能微束X射线制备应变硅的方法,其特征在于,整个应变过程在室温下进行,具体包括如下步骤:步骤(1)合成一个Si/SiO2双层复合结构体系,其结构为上表面覆盖有二氧化硅层的硅薄膜,硅薄膜厚度为d1,二氧化硅层厚度为d2,硅薄膜厚度d1的选择范围在100纳米至10微米之间,二氧化硅层厚度d2的选择范围为硅薄膜厚度d1的0.1~10倍;步骤(2)使用高能微束X射线按照一定先后顺序依次照射Si/SiO2双层复合结构体系中预期产生应变的区域,能量为E,选择范围为5~28keV,曝光时间为t,选择范围为0.1~10s,束斑直径为dx,根据所需应变尺寸和精度调整,最小为50nm;实现对硅的无损性及对二氧化硅的辐照效应,通过控制高能微束X射线的能量和曝光时间来控制产生应变的大小,没有产生高温;精准控制了应变硅应变区域;也无需去除二氧化硅层,其能够直接作为栅介质使用;无需添加其他原料,没有引入杂质,无污染。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造