[发明专利]膜上芯片封装件以及膜上芯片封装件的制造方法有效
| 申请号： | 201810039058.5 | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN109427599B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 黄巧伶;林泰宏 | 申请（专利权）人： | 联咏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种膜上芯片封装件以及膜上芯片封装件的制造方法。其中所述膜上芯片封装件包含基底薄膜、图案化电路层、芯片以及加强片。基底薄膜包含第一表面、与第一表面相对的第二表面以及位于第一表面上的安装区域。图案化电路层安置在第一表面上。芯片安装在安装区域上并且电连接到图案化电路层。加强片安置在第一表面和/或第二表面上并且曝露芯片，其中加强片的可挠性大体上等于或大于基底薄膜的可挠性。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种膜上芯片封装件，其特征在于，包括：基底薄膜，包括第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及位于所述第一表面上的安装区域；图案化电路层，安置在所述第一表面上；芯片，安装在所述安装区域上并电连接到所述图案化电路层；以及加强片，安置在所述第一表面和/或所述第二表面上并曝露所述芯片，其中所述加强片的可挠性等于或大于所述基底薄膜的可挠性。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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