[发明专利]高疏水性钙钛矿薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201810039091.8 | 申请日: | 2018-01-16 |
公开(公告)号: | CN108447994A | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 陈炜;朱红梅 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学;中节能万润股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人: | 黄君军 |
地址: | 436044 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种高疏水性钙钛矿薄膜及其制备方法,高疏水性钙钛矿薄膜包括钙钛矿吸光层及由吡啶类化合物溶液修饰形成并包覆于钙钛矿吸光层外表面的疏水界面层;制备方法包括:将吡啶类化合物配制成表面修饰溶液;将钙钛矿薄膜浸泡于表面修饰溶液中30~1800秒,并在70~200℃下退火处理烘干。本发明对常规钙钛矿薄膜进行浸泡式表面修饰,可使钙钛矿吸光层的外表面形成疏水界面层,以加强对钙钛矿吸光层的保护,增强高疏水性钙钛矿薄膜疏水性,提高高疏水性钙钛矿薄膜及电池器件的稳定性;且表面修饰可钝化钙钛矿吸光层、改善其质量、减少其缺陷态密度,提高制备的钙钛矿太阳能电池的开路电压和填充因子,其有利于提高光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿薄膜 钙钛矿 疏水性 吸光层 表面修饰 制备 吡啶类化合物 疏水界面 光电转换效率 缺陷态密度 太阳能电池 电池器件 开路电压 填充因子 退火处理 浸泡式 包覆 钝化 烘干 面形 修饰 浸泡 | ||
【主权项】:
1.一种高疏水性钙钛矿薄膜,其特征在于,包括钙钛矿吸光层及由吡啶类化合物溶液修饰形成并包覆于钙钛矿吸光层外表面的疏水界面层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学;中节能万润股份有限公司,未经华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学;中节能万润股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810039091.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择