[发明专利]一种低功耗无电阻基准电压源及电源装置

摘要

本发明涉及模拟电路技术领域，尤其涉及的是一种低功耗无电阻基准电压源及电源装置。本发明提供了一种低功耗无电阻基准电压源，包括启动电路和基准电压产生电路，本发明还提供了一种包括上述基准电压源的电源装置。本发明有效地解决了现有技术中带隙基准源精度差、功耗高的问题，输出电压稳定性好，并且减小了芯片面积，且具有较低的功耗和制造成本。

主权项

1.一种低功耗无电阻基准电压源，包括启动电路和基准电压产生电路；其特征在于，所述启动电路包括：PMOS管M15，其源极连接电压VDD，栅极与漏极连接并连接PMOS管M16的源极；PMOS管M16的栅极与漏极连接并连接PMOS管M17的源极；PMOS管M17的漏极连接NMOS管M18的栅极和NMOS管M19的漏极，PMOS管M17的栅极连接NMOS管M19的栅极；NMOS管M18、M19的源极接地；所述基准源产生电路包括：PMOS管M5、M6、M12、M13、M14，NMOS管M1、M2、M3、M4、MR、M7、M8、M9、M10、M11；NMOS管M5、M6的源极连接电压VDD，M5的漏极连接M3、M4的栅极以及M3的漏极，M5的栅极连接M6的栅极、M18的漏极、M6的漏极、M4的漏极以及M12、M13、M14的栅极；NMOS管M1的漏极连接M3的源极以及M1、M2的栅极，M1的源极接地；NMOS管M2的漏极连接M4的源极，M2的源极连接NMOS管MR的漏极，MR的源极接地，MR的栅极连接M17、M19的栅极以及电压输出端vref；NMOS管M14的源极连接电压VDD，漏极连接M8的漏极以及M8、M7的栅极，M7的漏极连接M8、M9的源极，M7的源极接地；NMOS管M13的源极连接电压VDD，漏极连接M10的漏极以及M10、M9的栅极，M9的漏极连接M10、M11的源极；NMOS管M12的源极连接电压VDD，漏极连接M11的栅极和漏极以及电压输出端vref。