[发明专利]开关电源电路、半导体功率器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种开关电源电路、半导体功率器件及其制备方法，包括：作为恒流源的第一MOS场效应管；基于恒流源产生内部低压电源的低压电源产生单元；调节输出电流的第二MOS场效应管；采样输出电流的第三MOS场效应管；以及基于电流采样信号调整第二MOS场效应管的脉冲宽度调制单元。本发明的控制模块集成度高，工艺相对比较简单，制造成本低；恒流源精确度高，输出电流采集精度高，进而整体精度大大提高；采用合封的方式将半导体功率器件及控制模块集成在一个封装管壳中，避免出现单片实现同样功能带来的工艺复杂性与高成本。

主权项

一种半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件至少包括：形成于同一半导体衬底上的第一MOS场效应管、第二MOS场效应管及第三MOS场效应管；所述第一MOS场效应管的漏端与所述第二MOS场效应管及所述第三MOS场效应管的漏端相连，作为所述半导体功率器件的漏端引出；所述第一MOS场效应管的栅端作为所述半导体功率器件的第一栅端引出；所述第一MOS场效应管的源端连接可调阻抗的一端，所述可调阻抗的另一端作为所述半导体功率器件的第一源端引出；所述第二MOS场效应管的栅端与所述第三MOS场效应管的栅端相连，并作为所述半导体功率器件的第二栅端引出；所述第二MOS场效应管的源端作为所述半导体功率器件的第二源端引出，所述第三MOS场效应管的源端作为所述半导体功率器件的第三源端引出。