[发明专利]用于信息存储的二茂铁基偶氮苯基光电双响应聚合物材料及其制备方法在审
申请号: | 201810040785.3 | 申请日: | 2018-01-16 |
公开(公告)号: | CN108456281A | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 俞豪杰;夏霞;王立 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C08F230/04 | 分类号: | C08F230/04;C08F220/60;C07F17/02;C07C245/08 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林超 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于信息存储的二茂铁基偶氮苯基光电双响应聚合物材料及其制备方法。首先制备二茂铁甲酰氯,再利用二茂铁甲酰氯制备甲基丙烯酸二茂铁甲酰氧基乙酯单体,利用4‑氨基‑4’‑硝基偶氮苯制备甲基丙烯酸‑4’‑硝基偶氮苯胺单体;结合两种单体制备所述二茂铁基偶氮苯基光电双响应聚合物材料。本发明制备获得了用于信息存储特殊作用的光电双响应聚合物,材料热稳定性较好,刺激响应现象明显,光电响应检测方便。 | ||
搜索关键词: | 制备 光电双响应 聚合物材料 信息存储 二茂铁 苯基 基偶 制备甲基丙烯酸 酰氯 氨基 材料热稳定性 硝基偶氮苯 苯胺单体 光电响应 聚合物 硝基偶 再利用 酰氧基 乙酯 刺激 检测 响应 | ||
【主权项】:
1.一种用于信息存储的二茂铁基偶氮苯基光电双响应聚合物材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)制备二茂铁甲酰氯;2)制备甲基丙烯酸二茂铁甲酰氧基乙酯单体;3)制备甲基丙烯酸‑4’‑硝基偶氮苯胺单体;4)结合甲基丙烯酸二茂铁甲酰氧基乙酯单体和甲基丙烯酸‑4’‑硝基偶氮苯胺单体制备所述二茂铁基偶氮苯基光电双响应聚合物材料。
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