[发明专利]一种三周期极小曲面等壁厚分层填充区域生成方法有效

专利信息
申请号: 201810041587.9 申请日: 2018-01-16
公开(公告)号: CN108320327B 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 傅建中;冯嘉炜;林志伟;商策 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G06T17/00 分类号: G06T17/00;G06T15/20;G06T15/08;B29C64/393;B33Y50/02
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 310013 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种三周期极小曲面等壁厚分层填充区域生成方法,包括:输入三周期极小曲面分层切片轮廓,切片厚度h,双侧偏置实体壁厚d;寻找对每个目标切片层有影响作用的影响层,计算其偏置距离;对每个目标切片层的切片轮廓双向偏置形成第一偏置封闭区域,对每个目标切片层对应的影响层的切片轮廓双向偏置形成第二偏置封闭区域;将影响层的第二偏置封闭区域投影到对应的目标切片层后,将投影后的第二偏置封闭区域与目标切片层的第一偏置封闭区域求并集,将该并集作为目标切片层的等壁厚分层填充区域;将所有切片层的等壁厚分层填充区域保存为CLI文件输出。该方法过程稳定可靠,避免了三维空间网格曲面偏置的缺点。
搜索关键词: 一种 周期 极小 曲面 分层 填充 区域 生成 方法
【主权项】:
1.一种三周期极小曲面等壁厚分层填充区域生成方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:输入三周期极小曲面分层切片轮廓,切片厚度h,双侧偏置实体壁厚d;步骤2:寻找对每个目标切片层有影响作用的影响层,计算每个影响层的偏置距离;步骤3:对每个目标切片层的切片轮廓双向偏置形成第一偏置封闭区域,对每个目标切片层对应的影响层的切片轮廓双向偏置形成第二偏置封闭区域;步骤4:将影响层的第二偏置封闭区域投影到对应的目标切片层后,将投影后的第二偏置封闭区域与目标切片层的第一偏置封闭区域求并集,将该并集作为目标切片层的等壁厚分层填充区域;步骤5:将所有切片层的等壁厚分层填充区域保存为CLI文件输出。
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