[发明专利]一种A-D-A型半导体共轭聚合物及其合成方法在审
| 申请号： | 201810042754.1 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108285527A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 邱龙臻;丁亚飞;黄凯强;杜玉昌;赵耀;张强 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种A‑D‑A型半导体共轭聚合物及其合成方法，具体的是一种基于异靛蓝衍生物单元和（噻吩基）吡咯并吡咯‑二酮单元的半导体共轭聚合物及其制备。本发明涉及合成的新型半导体共轭聚合物由于带隙窄而具有宽的吸收峰，覆盖可见光甚至延伸至近红外区域，同时能有效调控聚合物的LUMO能级，增加材料的电子传输性能，可代替PCBM作为光伏受体材料应用于有机光伏领域。以引入的侧链为助溶烷基链，本发明所制得的共轭半导体聚合物可溶液加工处理，在有机薄膜晶体管和有机光伏领域有一定的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体共轭聚合物 有机光伏 合成 有机薄膜晶体管 半导体聚合物 电子传输性能 共轭聚合物 近红外区域 新型半导体 衍生物单元 吡咯并吡咯 可见光 溶液加工 受体材料 有效调控 聚合物 烷基链 吸收峰 异靛蓝 噻吩基 侧链 带隙 二酮 共轭 光伏 助溶 制备 应用 引入 延伸 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种A‑D‑A型半导体共轭聚合物，其特征在于：该半导体共轭聚合物是基于异靛蓝衍生物和(噻吩基)吡咯并吡咯‑二酮的半导体共轭聚合物，该半导体共轭聚合物的结构式为：![]()
其中，R1为C10‑C12烷烃链，R2为C2‑C4烷烃链，n≥1。
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