[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201810043583.4 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108336025A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 闵宣基;金松伊;柳庚玟;柳齐民 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底，其具有第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案包括将其上部分为第一部分和第二部分的第一凹陷区，第二有源图案包括将其上部分为第一部分和第二部分的第二凹陷区；第一绝缘图案，其覆盖第一凹陷区的内侧壁；以及第二绝缘图案，其覆盖第二凹陷区的内侧壁。第一绝缘图案和第二绝缘图案包括相同的绝缘材料，并且第一绝缘图案相对于第一凹陷区的容积的体积分数小于第二绝缘图案相对于第二凹陷区的容积的体积分数。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘图案 凹陷区 源图案 半导体装置 体积分数 内侧壁 绝缘材料 衬底 覆盖 申请 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：衬底，其具有第一有源图案和第二有源图案，所述第一有源图案包括将所述第一有源图案的上部分为第一部分和第二部分的第一凹陷区，所述第二有源图案包括将所述第二有源图案的上部分为第一部分和第二部分的第二凹陷区；第一绝缘图案，其覆盖所述第一凹陷区的内侧壁；以及第二绝缘图案，其覆盖所述第二凹陷区的内侧壁，其中，所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案包括相同的绝缘材料，并且其中，所述第一绝缘图案相对于所述第一凹陷区的容积的体积分数小于所述第二绝缘图案相对于所述第二凹陷区的容积的体积分数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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