[发明专利]具有氮化铝膜的紫外LED的外延结构及其生长方法

摘要

本发明提供一种具有氮化铝膜的紫外LED的外延结构及其生长方法。氮化铝膜的生长方法包括如下步骤：1)在衬底上生长金属层；2)对衬底进行退火处理，金属层形成金属球状物层；3)对衬底进行刻蚀处理，形成具有凹坑的衬底；4)温度升高至600～1200℃时，在反应室中通入三甲基铝和氨气，生长缓冲生长层；5)温度升高至1250～1450℃，进行第一生长模式和第二生长模式交替循环生长，生长成中间状态的氮化铝层；6)温度降低至1100～1250℃，对氮化铝层通入三甲基铝和氨气进行第三生长模式生长。采用该方法制得的氮化铝薄膜晶体质量好，并能减少氮化铝薄膜表面裂纹。

主权项

1.一种氮化铝膜的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在衬底上生长金属层；2)对所述衬底进行退火处理，所述金属层形成金属球状物层；3)对所述衬底进行刻蚀处理，形成具有凹坑的衬底；4)温度升高至600～1200℃时，在生长设备的反应室中通入三甲基铝和氨气，生长缓冲生长层；5)温度升高至1250～1450℃，对所述缓冲生长层进行第一生长模式和第二生长模式交替循环生长，生长成中间状态的氮化铝层；其中，所述第一生长模式和所述第二生长模式均通入三甲基铝和氨气，所述第一生长模式的第一生长速率小于所述第二生长模式的第二生长速率的生长速率；6)温度降低至1100～1250℃，对所述中间状态的氮化铝层通入所述三甲基铝和所述氨气进行第三生长模式生长，生长成最终的氮化铝层。