[发明专利]一种模拟晶圆背面缺陷的方法及装置有效
| 申请号： | 201810046144.9 | 申请日： | 2018-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN108346592B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李剑 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种模拟晶圆背面缺陷的方法及装置。所述方法包括：根据晶圆背面的全景图像或局部图像，解析出所述晶圆的晶边和圆心，并检测获取所述晶圆背面的缺陷区域；计算所述缺陷区域与所述晶圆的特定点的像素距离，所述特定点为所述晶圆的圆心或其他位置点；将所述缺陷区域与所述晶圆的实际尺寸相关联，根据所述像素距离将所述晶圆背面的全景图像或局部图像转换为缺陷识别图像。本发明根据晶圆背面的全景图像或局部图像检测获取所述晶圆背面的缺陷区域，并根据晶圆的实际尺寸与缺陷区域的尺寸关系，将全景图像或局部图像转换为缺陷识别图像，有效地解决了昂贵的机台采购费用以及人工检验主观性强等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 模拟 背面 缺陷 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种模拟晶圆背面缺陷的方法，其特征在于，包括：根据晶圆背面的全景图像或局部图像，解析出所述晶圆的晶边和圆心，并检测获取所述晶圆背面的缺陷区域；计算所述缺陷区域与所述晶圆的特定点的像素距离，所述特定点为所述晶圆的圆心或其他位置点；将所述缺陷区域与所述晶圆的实际尺寸相关联，根据所述像素距离将所述晶圆背面的全景图像或局部图像转换为缺陷识别图像。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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