[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201810048244.5 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN110061054B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 林文凯;盛义忠;薛胜元;康智凯 | 申请（专利权）人： | 蓝枪半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法为：主要先形成第一主动区以及第二主动区沿着一第一方向延伸于一基底上，然后形成第一单扩散隔离结构沿着一第二方向延伸并位于第一主动区以及第二主动区之间，之后再形成第一栅极线沿着第二方向延伸并交错第一主动区以及第二主动区，其中第一单扩散隔离结构设于第一主动区以及第二主动区之间的第一栅极线正下方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：形成一第一主动区以及一第二主动区沿着一第一方向延伸于一基底上；形成一第一单扩散隔离结构沿着一第二方向延伸并位于该第一主动区以及该第二主动区之间；以及形成一第一栅极线沿着该第二方向延伸并交错该第一主动区以及该第二主动区，其中该第一单扩散隔离结构设于该第一主动区以及该第二主动区之间的该第一栅极线正下方。
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