[发明专利]一种提高非铅卤素钙钛矿材料的荧光产率和稳定性的方法在审
| 申请号： | 201810048256.8 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108329912A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 谭智方;李京徽;张成;牛广达;唐江 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C09K11/85 | 分类号： | C09K11/85;C09K11/62;C09K11/74;C09K11/06 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高非铅卤素钙钛矿材料的荧光产率和稳定性的方法，其特征在于，该方法是将稀土元素RE引入到非铅卤素钙钛矿A3B2X9中，形成稀土元素掺杂的非铅卤素钙钛矿；其中B为Bi或Sb中的一种，X为Cl、Br或I中的一种。本发明通过对产物非铅卤素钙钛矿材料中稀土元素RE的添加量、取代位点，制备方法的整体流程工艺设计、各个步骤的参数及条件进行改进，利用稀土离子调控非铅钙钛矿中金属‑卤素八面体扭曲程度和改变金属离子晶体场环境，与现有技术相比能够有效提高非铅卤素钙钛矿材料的荧光产率和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 非铅 钙钛矿材料 钙钛矿 荧光 产率 稀土元素 稀土元素掺杂 参数及条件 工艺设计 金属离子 稀土离子 整体流程 八面体 晶体场 添加量 位点 制备 金属 扭曲 引入 调控 改进 | ||
【主权项】：
1.一种提高非铅卤素钙钛矿材料的荧光产率和稳定性的方法，其特征在于，该方法是将稀土元素RE引入到非铅卤素钙钛矿A3B2X9中，形成稀土元素掺杂的非铅卤素钙钛矿；其中B为Bi或Sb中的一种，X为Cl、Br或I中的一种，A优选为CH3NH2、Rb、Cs中的一种。
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