[发明专利]一种半导体气敏传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810048331.0 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN110057869A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 王颖;韩宁;汪舟;陈运法 | 申请（专利权）人： | 中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体气敏传感器及其制备方法，所述半导体气敏传感器包括金属纳米颗粒阵列和气敏薄膜，所述气敏薄膜沉积在所述金属纳米颗粒阵列上，所述气敏薄膜的表面具有高低起伏的有序结构。本发明的高低起伏的有序结构提高了气敏薄膜与气体之间的相互作用面积，气敏薄膜沉积在金属纳米阵列上，通过调整金属纳米阵列的排布方式可以实现气敏薄膜结构的有效调控，有效提高了气敏薄膜检测气体的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 气敏薄膜 半导体气敏传感器 金属纳米颗粒 金属纳米阵列 高低起伏 沉积 制备 排布方式 有效调控 灵敏度 薄膜 检测 | ||
【主权项】：
1.一种半导体气敏传感器，其特征在于，所述半导体气敏传感器包括金属纳米颗粒阵列和气敏薄膜，所述气敏薄膜沉积在所述金属纳米颗粒阵列上，所述气敏薄膜的表面具有高低起伏的有序结构。
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