[发明专利]摄像器件和电子装置有效
| 申请号： | 201810048431.3 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN108111786B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 小林正治;工藤义治;佐野拓也 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H04N5/369 | 分类号： | H04N5/369;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈睆;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了摄像器件和电子装置。所述摄像器件包括：多个光电转换单元，形成在第一半导体层中；电路单元，形成在第二半导体层中，其中，电路单元位于第一半导体层中的多个光电转换单元的至少一个光电转换单元的下方；第一多层布线层，形成在第一半导体层的第一侧，第一多层布线层包括具有第一布线的第一布线层和具有第二布线的第二布线层；以及第二多层布线层，形成在第二半导体层的第一侧，第二多层布线层包括具有第三布线的第三布线层和具有第四布线的第四布线层，其中，第一布线位于第二布线的上方，第一多层布线层布置在多个光电转换单元与电路单元之间，并且在第一方向上延伸的第一布线与在第一方向上延伸的第二布线重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 布线 多层布线层 半导体层 光电转换单元 布线层 电路单元 摄像器件 电子装置 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种摄像器件，其包括：多个光电转换单元，所述多个光电转换单元形成在第一半导体层中；电路单元，所述电路单元形成在第二半导体层中，其中，所述电路单元位于所述第一半导体层中的所述多个光电转换单元的至少一个光电转换单元的下方；第一多层布线层，所述第一多层布线层形成在所述第一半导体层的第一侧，所述第一多层布线层包括具有第一布线的第一布线层和具有第二布线的第二布线层，所述第一布线和所述第二布线被第一层间绝缘膜间隔着布置；以及第二多层布线层，所述第二多层布线层形成在所述第二半导体层的第一侧，所述第二多层布线层包括具有第三布线的第三布线层和具有第四布线的第四布线层，所述第三布线和所述第四布线被第二层间绝缘膜间隔着布置，其中，所述第一布线位于所述第二布线的上方，所述第一多层布线层布置在所述多个光电转换单元与所述电路单元之间，并且在第一方向上延伸的所述第一布线与在所述第一方向上延伸的所述第二布线重叠。
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