[发明专利]磁记录介质和磁存储装置有效
| 申请号： | 201810048861.5 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108399925B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 福岛隆之;大桥荣久;张磊;村上雄二;柴田寿人;山口健洋;神边哲也 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇;李茂家<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及磁性层，所述磁性层含有合金，所述合金具有L10型结晶结构且面方位为(001)。所述底层包括第1底层。所述第1底层是含有以Al、Ag、Cu、W或Mo为主成分的材料及所述主成分的元素的氧化物、并且所述主成分的元素的氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁记录介质 磁性层 氧化物 合金 磁存储装置 结晶结构 结晶质 面方位 基板 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及磁性层，所述磁性层含有合金，所述合金具有L10型结晶结构并且面方位为(001)，其中，/n所述底层包括第1底层，/n所述第1底层为含有以Al、Ag、Cu、W或Mo为主成分的材料及所述主成分的元素的氧化物、并且所述主成分的元素的氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层，/n所述底层还包括第2底层，/n所述第2底层设置在所述基板和所述第1底层之间，/n所述第2底层为以具有与所述主成分的元素相同的结晶结构和面方位的元素为主成分、并且不含有氧化物的结晶质层。/n
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