[发明专利]一种宽光谱响应光电探测器有效
申请号: | 201810048919.6 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN108565276B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 张科;李兰兰 | 申请(专利权)人: | 淮南师范学院 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/42 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 高桂珍 |
地址: | 23203*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明属于光电探测技术领域,具体为一种宽光谱响应光电探测器,包括第一探测单元(2)、连接单元(3)、和第二探测单元(4),其特征在于:所述第一探测单元(2)设置在透明导电基底(1)之上,且其波长响应范围为从近紫外光到可见光,所述透明导电基底(1)为四层结构,包括第一玻璃基底(101)、第二介质层(102)、第三透明金属层(103)和第四介质层(104),且所述第二介质层(102)层叠在第一玻璃基底(101)之上,所述第三透明金属层(103)层叠在第二介质层(102)之上,所述第四介质层(104)层叠在第三透明金属层(103)之上。 | ||
搜索关键词: | 一种 光谱 响应 光电 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种宽光谱响应光电探测器,包括第一探测单元(2)、连接单元(3)、和第二探测单元(4),其特征在于:所述第一探测单元(2)设置在透明导电基底(1)之上,且其波长响应范围为从近紫外光到可见光,所述透明导电基底(1)为四层结构,包括第一玻璃基底(101)、第二介质层(102)、第三透明金属层(103)和第四介质层(104),且所述第二介质层(102)层叠在第一玻璃基底(101)之上,所述第三透明金属层(103)层叠在第二介质层(102)之上,所述第四介质层(104)层叠在第三透明金属层(103)之上,所述第一探测单元(2)为PIN型结构,包括第一P型层(201),第一I型层(202)和第一N型层(203),且所述的第一P型层(201),第一I型层(202)和第一N型层(203)呈依次层叠结构,所述第二探测单元(4)设置在连接单元(3)之上,且其波长响应范围为从可见光到近红外光,第二探测单元(4)为NIP型结构,包括第二N型层(401)、第二I型层(402)、第二P型层(403)和不透明电极层(404),且所述的第二N型层(401)、第二I型层(402)、第二P型层(403)和不透明电极层(404)呈依次层叠结构,所述连接单元(2)为石墨烯,石墨烯层的厚度为10‑50nm,且从连接单元(2)引出导线作为宽光谱响应光电探测器的阴极,所述的透明导电基底(1)的第三透明金属层(103)与第二探测单元(4)的不透明电极层(404)使用导线连接,共同作为宽光谱响应光电探测器的阳极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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