[发明专利]一种蓝黑色钙钛矿薄膜的制备方法及其应用有效
申请号: | 201810049320.4 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN108336233B | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 姜辛;邱建航;王高翔;王立鹏;刘鲁生 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/46;H01L51/42 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明属于薄膜材料制备领域,具体为一种蓝黑色钙钛矿(FAPbI |
||
搜索关键词: | 一种 黑色 钙钛矿 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种蓝黑色钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)FAPbI3前驱体溶液配置:将碘化甲脒(NH2CH=NH2I(FAI))与碘化铅(PbI2)按摩尔比1:1溶于一定体积的二甲基甲酰胺(DMF)与路易斯碱的混合溶剂中,室温搅拌1~24h成均一稳定透明的FAPbI3前驱体溶液,FAPbI3前驱体溶液摩尔浓度在1.0~1.6M之间,混合溶剂中二甲基甲酰胺(DMF)与路易斯碱的体积比在1~5之间;(2)旋涂FAPbI3前驱体溶液:取步骤(1)得到的FAPbI3前驱体溶液0.1~5mL,滴于基片上,静至2~20s,待溶液完全延展铺满基片后,启动旋涂机,以3000~6000rpm的转数旋涂20~60s;(3)反极性溶剂冲洗过程:待步骤(2)中所述的旋涂机到达指定转速5~10s后,取1~20mL反极性溶剂,一次性、快速冲洗旋转基片表面;(4)薄膜加热烘烤过程:将步骤(3)得到的基片置于热板炉上,在120~180℃条件下烘烤2~60min后,取下基片,冷却至室温,得到纯度高、delta相含量少的蓝黑色钙钛矿(FAPbI3)薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所,未经中国科学院金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810049320.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择