[发明专利]背照式图像传感器的背面结构及制备方法有效

专利信息
申请号: 201810050421.3 申请日: 2018-01-18
公开(公告)号: CN108281437B 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 曹静;胡胜 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹;李相雨
地址: 430205 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种背照式图像传感器的背面结构及制备方法,背面结构包括:衬底,衬底包括凹槽和光电二极管预制备区;所述凹槽的底部下方填埋有一金属互联层;第一介质层,覆盖光电二极管预制备区处的衬底的表面;氧化层,覆盖凹槽的底部和侧壁,并且覆盖第一介质层的表面;开口,同时穿过所述凹槽内的所述氧化层和所述凹槽的底部的所述衬底,且终止于所述金属互联层;金属垫,在所述凹槽内部覆盖所述氧化层的一部分,并填充所述开口且与所述金属互联层接触;金属垫隔离层,形成于所述金属垫表面,用于将所述金属垫与外界环境进行隔离。本发明可解决背照式图像传感器背面结构的金属垫易受外界环境影响,进而导致器件性能下降的问题。
搜索关键词: 背面结构 金属垫 衬底 背照式图像传感器 金属互联层 氧化层 光电二极管 覆盖 介质层 制备 预制 开口 金属垫表面 受外界环境 凹槽内部 器件性能 外界环境 隔离层 侧壁 填埋 填充 隔离 穿过
【主权项】:
1.一种背照式图像传感器的背面结构,其特征在于,包括:衬底,所述衬底包括凹槽和光电二极管预制备区;所述凹槽的底部下方填埋有一金属互联层;第一介质层,覆盖所述光电二极管预制备区处的所述衬底的表面;氧化层,覆盖所述凹槽的底部和侧壁,并且覆盖所述第一介质层的表面;开口,同时穿过所述凹槽内的所述氧化层和所述凹槽的底部的所述衬底,且终止于所述金属互联层;金属垫,在所述凹槽内部覆盖所述氧化层的一部分,并填充所述开口且与所述金属互联层接触;金属垫隔离层,形成于所述金属垫表面,用于将所述金属垫与外界环境进行隔离;所述金属垫隔离层为采用所述金属垫对应的金属材料的氧化物制成的隔离层。
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