[发明专利]一种改进的伪四线测试方法及其测试结构有效
申请号: | 201810050675.5 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN108254672B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 王磊 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出一种改进的伪四线测试方法及其测试结构,所述测试方法包括下列步骤:在测试设备输入端分别接入DPS电源高位激励端和测试通道输入端;获取测试设备输出端的负载电流测试数据和建立时间数据;获取测试设备输出端的输出电压数据。本发明提出的改进的伪四线测试方法及其测试结构,解决了在同一测试流程中一次就可以测量建立时间(不带负载)和输出电压(带负载),现有技术一般通过分别两次测量(需更换硬件)或通过复杂的开关矩阵板来实现同一测试流程测试。 | ||
搜索关键词: | 一种 改进 伪四线 测试 方法 及其 结构 | ||
【主权项】:
1.一种改进的伪四线测试方法,其特征在于,包括下列步骤:在测试设备输入端分别接入DPS电源高位激励端和测试通道输入端;获取测试设备输出端的负载电流测试数据和建立时间数据;获取测试设备输出端的输出电压数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810050675.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于内插器的测试程序评估
- 下一篇:电学性能测试方法及装置