[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201810051195.0 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109493897B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 高桥政宽;滝泽亮介 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种抑制伴随电源电压的降低而产生的数据的消失的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：第1存储器单元MC，包含第1可变电阻元件VR；以及第1写入控制器21及第2写入控制器31，控制向所述第1存储器单元的写入。所述第1写入控制器基于从第1配线供给的第1电压进行向所述第1存储器单元的写入，所述第2写入控制器在从所述第1配线供给的所述第1电压降低至第2电压的情况下，基于所述第2电压进行向所述第1存储器单元的写入。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：第1存储器单元，包含第1可变电阻元件；以及第1写入控制器及第2写入控制器，控制向所述第1存储器单元的写入；所述第1写入控制器基于从第1配线供给的第1电压进行向所述第1存储器单元的写入，所述第2写入控制器在从所述第1配线供给的所述第1电压降低至第2电压的情况下，基于所述第2电压进行向所述第1存储器单元的写入。
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