[发明专利]InSb高迁移率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810051859.3 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108288644A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 董海云;张杨;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤宝平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种InSb高电子迁移率晶体管，其包括：一衬底；一复合缓冲层，其生长在衬底上；一InAlSb下势垒层，其生长在复合缓冲层上；一InSb子沟道层，其生长在InAlSb下势垒层上；一InAlSb下隔离层，其生长在InSb子沟道层上；一InSb主沟道层，其生长在InAlSb下隔离层上；一InAlSb上隔离层，其生长在InSb主沟道层上；一n型掺杂层，其生长在InAlSb上隔离层上；一InAlSb上势垒层，其生长在n型掺杂层上；一InSb帽层，其生长在InAlSb上势垒层上。本发明可以避免动能过大的电子在主沟道层造成碰撞电离，减小了反偏条件下碰撞电离对输出电导的影响，提高了晶体管的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 主沟道层 复合缓冲层 碰撞电离 上隔离层 上势垒层 下隔离层 下势垒层 沟道层 衬底 高电子迁移率晶体管 高迁移率晶体管 输出电导 晶体管 动能 反偏 减小 帽层 制备 | ||
【主权项】：
1.一种InSb高电子迁移率晶体管，其包括：一衬底；一复合缓冲层，其生长在衬底上；一InAlSb下势垒层，其生长在复合缓冲层上；一InSb子沟道层，其生长在InAlSb下势垒层上；一InAlSb下隔离层，其生长在InSb子沟道层上；一InSb主沟道层，其生长在InAlSb下隔离层上；一InAlSb上隔离层，其生长在InSb主沟道层上；一n型掺杂层，其生长在InAlSb上隔离层上；一InAlSb上势垒层，其生长在n型掺杂层上；一InSb帽层，其生长在InAlSb上势垒层上。
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