[发明专利]InSb量子阱红外探测器及制备方法在审
| 申请号： | 201810051860.6 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108281497A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 董海云;张杨;曾一平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/109;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤宝平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种InSb量子阱红外探测器结构，其包括：一衬底；一复合缓冲层，其生长在衬底上；一InSb下欧姆接触层，其生长在复合缓冲层上；一InSb/InAlSb超晶格量子阱层，其生长在InSb下欧姆接触层上；一AlGaSb电子阻挡层，其生长在InSb/InAlSb超晶格量子阱层上；一InSb上欧姆接触层，其生长在AlGaSb电子阻挡层上。本发明可以降低反偏电压下的暗电流和工作时的噪声电流，提高了探测器的探测率和最高工作温度。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 量子阱红外探测器 超晶格量子阱 下欧姆接触层 电子阻挡层 复合缓冲层 衬底 上欧姆接触层 反偏电压 噪声电流 暗电流 探测率 探测器 制备 | ||
【主权项】：
1.一种InSb量子阱红外探测器结构，其包括：一衬底；一复合缓冲层，其生长在衬底上；一InSb下欧姆接触层，其生长在复合缓冲层上；一InSb/InAlSb超晶格量子阱层，其生长在InSb下欧姆接触层上；一AlGaSb电子阻挡层，其生长在InSb/InAlSb超晶格量子阱层上；一InSb上欧姆接触层，其生长在AlGaSb电子阻挡层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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