[发明专利]一种氮化镓基高光效LED外延垒晶片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810052575.6 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN110021685A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 颜建锋;敖辉;彭泽洋;庄文荣;孙明 | 申请（专利权）人： | 东莞市中晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 523500 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基高光效LED外延垒晶片及其制备方法，包括在n型氮化镓与量子阱之间生长含C高缺陷密度层，含C高缺陷密度层生长方法包括：完成n型氮化镓生长后，调整外延垒晶反应室内温度在600℃——990℃之间，以含甲基或乙基的气体源为部分垒晶源参与生长含C高缺陷密度层，引入C掺杂，控制含C高缺陷密度层中C含量浓度1016——1020cm‑3，控制含C高缺陷密度层厚度在100nm——1000nm之间。本发明的LED外延垒晶片提高了现有技术同等规格LED外延片制备的芯片的光效。 | ||
| 搜索关键词： | 密度层 晶片 制备 生长 氮化镓基 高光效 甲基或乙基 量子阱 气体源 光效 晶源 掺杂 室内 芯片 引入 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基高光效LED外延垒晶片的制备方法，其特征在于，包括在n型氮化镓与量子阱之间生长含C高缺陷密度层，含C高缺陷密度层生长方法包括：完成n型氮化镓生长后，调整外延垒晶反应室内温度在600℃——990℃之间，以含甲基或乙基的气体源为部分垒晶源参与生长含C高缺陷密度层，引入C掺杂，控制含C高缺陷密度层中C含量浓度1016——1020cm‑3，控制含C高缺陷密度层厚度在100nm——1000nm之间。
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