[发明专利]一种双栅栅控可控硅整流器静电释放器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201810052911.7 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108389891B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 金湘亮;汪洋 | 申请（专利权）人： | 湖南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L29/744;H01L21/331 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 | 代理人： | 颜昌伟 |
| 地址： | 410012 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双栅栅控可控硅整流器静电释放器件，包括衬底，衬底中设有N阱和P阱，N阱中设有第一场氧隔离区、第一N+注入区、第二场氧隔离区、第一P+注入区、第三场氧隔离区，第二N+注入区横跨在N阱和P阱的交界处；P阱中设有第一多晶硅栅、第三N+注入区、第二多晶硅栅、第四N+注入区、第四场氧隔离区、第二P+注入区、第五场氧隔离区；第二N+注入区、第一多晶硅栅、第三N+注入区、第二多晶硅栅、第四N+注入区构成双栅MOSFET场效应管结构。本发明的静电释放器件采用双栅MOSFET场效应管结构，能够降低器件触发电压和提高器件的维持电压。 | ||
| 搜索关键词： | 注入区 场氧隔离区 多晶硅栅 双栅 静电释放器件 可控硅整流器 场效应管 衬底 触发电压 降低器件 维持电压 交界处 横跨 制作 | ||
【主权项】：
1.一种双栅栅控可控硅整流器静电释放器件，其特征在于：包括衬底、N阱、P阱、第一至第四N+注入区、第一至第二P+注入区、第一至第五场氧隔离区、第一多晶硅栅、第二多晶硅栅，所述衬底中从左至右设有N阱和P阱，所述N阱中从左至右依次设有第一场氧隔离区、第一N+注入区、第二场氧隔离区、第一P+注入区、第三场氧隔离区，所述第二N+注入区横跨在N阱和P阱的交界处；所述P阱中从左至右依次设有第一多晶硅栅、第三N+注入区、第二多晶硅栅、第四N+注入区、第四场氧隔离区、第二P+注入区、第五场氧隔离区；所述第二N+注入区、第一多晶硅栅、第三N+注入区、第二多晶硅栅、第四N+注入区构成双栅MOSFET场效应管结构；所述第一N+注入区、第一P+注入区连接在一起并作为器件的阳极；所述第一多晶硅栅作为器件的控制栅极；所述第二多晶硅栅、第四N+注入区、第二P+注入区连接在一起并作为器件的阴极。
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