[发明专利]低介电常数低损耗的低温共烧陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201810053644.5 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108218406B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 齐世顺;程华容;宋蓓蓓;杨魁勇;吕鹏;孙淑英 | 申请（专利权）人： | 北京元六鸿远电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/626;C04B35/622;C04B35/01;C04B35/453 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 夏静洁 |
| 地址： | 100070 北京市丰台*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了低介电常数低损耗的低温共烧陶瓷材料及其制备方法，按质量份计，该材料由10～40份Al |
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| 搜索关键词： | 介电常数 损耗 低温 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低介电常数低损耗的低温共烧陶瓷材料，其特征在于，该材料由10～40质量份的Al2O3、0～40质量份的SiO2、0～60质量份的粉末A、0～60质量份的粉末B和8～30质量份的粉末C组成，粉末A和粉末B至少有一种；其中：所述粉末A为预烧体，其组分为40～70质量份的Bi2O3，10～30质量份的ZnO，15～45质量份的H3BO3；所述粉末B为预烧体，其组分为摩尔比1:1:2的BaO前驱体、CuO和H3BO3；所述粉末C为预烧体，其组分为摩尔比2:1的MgO与SiO2。
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