[发明专利]横向p-n-n微腔结构Ge发光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810053656.8 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108091744A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 黄诗浩;郑启强;曹世阳;谢文明;李天建;汪涵聪;陈彩云;黄靖 | 申请（专利权）人： | 福建工程学院 |
| 主分类号： | H01L33/34 | 分类号： | H01L33/34;H01L33/10;H01L33/44;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 王晓彬 |
| 地址： | 350118 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向p‑n‑n微腔结构Ge发光器件包括有源层n‑Ge层，n‑Ge层下表面为Si/SiO2结构，n‑Ge层与Si/SiO2结构构成高掺杂n型GOI衬底，底部设有底部分布式布拉格反射镜，n‑Ge层上表面两侧设有p‑GeSi区、n‑GeSi区，中间为有源区，有源区底部暴露n‑Ge层，有源区内设有顶部分布式布拉格反射镜，p‑GeSi区、n‑GeSi区上设有低电阻导电材料的电极；发光器件表面设有氧化硅的钝化层。本发明在高掺杂n型GOI衬底上外延高锗组分的GeSi层，并实现横向p‑n‑n结构Ge发光器件，其中Ge组分0.85，在GeSi与Ge之间可以形成有效的势垒层，对电子和空穴都能起到有效的限制作用，进而增强Ge直接带发光效率。该方法具有工艺制备简单、与成熟的硅CMOS工艺兼容、可操作性强、发光性能优越等优点，极具应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 发光器件 分布式布拉格反射镜 微腔结构 高掺杂 衬底 源区 低电阻导电材料 空穴 发光器件表面 发光效率 发光性能 工艺制备 钝化层 上表面 势垒层 下表面 氧化硅 电极 高锗 源层 制备 兼容 暴露 成熟 应用 | ||
【主权项】：
1.一种横向p-n-n微腔结构Ge发光器件，其特征在于，包括有源层n-Ge层，n-Ge层下表面为Si/SiO2 结构，n-Ge层与Si/SiO2 结构构成高掺杂n型GOI衬底，底部设有底部分布式布拉格反射镜，n-Ge层上表面两侧设有p-GeSi区、n-GeSi区，p-GeSi区、n-GeSi区中间为有源区，有源区底部暴露n-Ge层，有源区内设有顶部分布式布拉格反射镜，所述p-GeSi区、n-GeSi区上设有低电阻导电材料的电极；发光器件表面设有氧化硅的钝化层。
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