[发明专利]晶体管装置的过电压保护有效
| 申请号： | 201810054550.X | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN109217858B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 霍斯特·克内蒂格;克里斯托夫·N·内戈尔;内博伊沙·耶拉查 | 申请（专利权）人： | 对话半导体（英国）有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/082 | 分类号： | H03K17/082 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;吴启超 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于晶体管的过电压保护电路起作用来当所述晶体管处于关闭状态时，一旦通道电压超过阈值就会接通所述晶体管。这利用了与所述晶体管集成一体的内部部件实现，从而避免对外部二极管或齐纳结构的需要。所述电路具有晶体管，所述晶体管具有控制端子、第一载流端子和第二载流端子。所述过电压保护电路具有电平位移器，所述电平位移器被布置来将处于所述第一载流端子与第二载流端子之间的通道电压的电平位移版本反馈给所述控制端子。在所述通道电压的预定值被越过时，所述电平位移器允许所述晶体管的所述切换阈值电压被越过。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 装置 过电压 保护 | ||
【主权项】：
1.一种电路，包括：晶体管，包括控制端子、第一载流端子和第二载流端子；以及过电压保护电路，所述过电压保护电路包括：电平位移器，所述电平位移器被布置来将处于所述第一载流端子与所述第二载流端子之间的通道电压的电平位移版本反馈至所述控制端子；其中所述电平位移器被配置来使得当所述通道电压的预定值被越过时，所述晶体管的切换阈值电压被越过。
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