[发明专利]一种均匀投射式电子光学结构有效
| 申请号： | 201810055508.X | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108231527B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 赵健;夏忠平;朱滨 | 申请（专利权）人： | 上海极优威光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J43/28 | 分类号： | H01J43/28;H01J43/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200082 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种均匀投射式电子光学结构，包括：阴极区，束形成区，电子枪出口区；所述阴极区内设置有阴极，所述阴极投射电子并形成阴极发射面；所述电子从所述阴极发射面，经过所述束形成区、所述电子枪出口区射出，最终形成投射区域；所述束形成区包括至少两个子束形成区，每个子束形成区均为金属圆筒结构，并且各金属圆筒电位独立可调，用于控制所在区域内的电子束形态；所述束形成区对所述阴极发射面成一次倒立实像；所述投射区域为所述阴极发射面二次倒立实像，最终使得所述电子均匀投射。相比于现有技术，无需设置金属栅网，利用高压电场过聚焦，将阴极二次倒立实像投射到要求区域，通过优化的结构保证了投射区域的电子束均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 投射 电子光学 结构 | ||
【主权项】：
1.一种均匀投射式电子光学结构，其特征在于，包括：阴极区，束形成区，电子枪出口区；所述阴极区内设置有阴极，所述阴极投射电子并形成阴极发射面；所述电子从所述阴极发射面，经过所述束形成区、所述电子枪出口区射出，最终形成投射区域；所述束形成区包括至少两个子束形成区，每个子束形成区均为金属圆筒结构，并且各金属圆筒电位独立可调，用于控制所在区域内的电子束形态；所述束形成区对所述阴极发射面成一次倒立实像；所述投射区域为所述阴极发射面二次倒立实像，最终使得所述电子均匀投射。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海极优威光电科技有限公司，未经上海极优威光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810055508.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
