[发明专利]可分离的衬底结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201810055533.8 | 申请日： | 2018-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN108321309A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 李加伟;郭瑞;胡坤 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/00;H01L51/52 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 065500 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可分离的衬底结构及其制备方法。上述可分离的衬底结构的制备方法包括以下步骤：提供支撑基底；在支撑基底上形成图案化的疏水膜，疏水膜具有图案区域和空白区域；以及在疏水膜的空白区域形成柔性基底，得到可分离的衬底结构。上述可分离的衬底结构的制备方法中，疏水膜将柔性基底限定在疏水膜的空白区域位置，减小了柔性基底与支撑基底的接触面积。从而减小了柔性基底对支撑基底的应力，能够避免支撑基底发生翘曲，提高后续图形化过程中的对位精准度以及图形化精度。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底结构 可分离 疏水膜 支撑基 制备 柔性基底 空白区域 减小 空白区域位置 对位精准度 图形化过程 图案区域 图案化 图形化 翘曲 | ||
【主权项】：
1.一种可分离的衬底结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供支撑基底；在所述支撑基底上形成图案化的疏水膜，所述疏水膜具有图案区域和空白区域；以及在所述疏水膜的空白区域形成柔性基底，得到可分离的衬底结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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