[发明专利]一种双势垒纳米硅阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810056850.1 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN110061129B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 马忠元;谭定文;孙杨 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210023 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超低功耗纳米硅阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于：纳米硅基阻变层由含氢富硅碳化硅阻变层作为中间层，上下两层为相同同化学配比的含氢富碳碳化硅薄膜，阻变层上表面的条形电极和下表面的条形电极互相垂直；本发明与当前的微电子工艺技术相兼容，通过含氢碳化硅薄膜的化学配比调控，从而调节构成阻变存储器导电通道的势垒高度，进而达到调控电压，实现功率可调的功能，使纳米硅基阻变存储器可切实应用于未来的硅基纳米存储器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双势垒 纳米 硅阻变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.本发明涉及双势垒纳米硅阻变存储器，属于非挥发性性存储器技术领域。该存储器采用单晶硅作为衬底，其特征在于：包括附着在表面氧化的单晶硅衬底上的三明治结构纳米硅基阻变层，及分别附着在阻变层上表面和下表面的互相垂直的条形电极。
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