[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201810057093.X | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108346646A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 贝杰翰;杜旺朱;姚民;金阳瑞;张民华;金东和;乔阿拉;安韶珍 | 申请（专利权）人： | 艾马克科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 林柳岑;穆文通 |
| 地址： | 美国亚利桑那州85*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括低密度基板、位于所述低密度基板的空腔内的高密度嵌体、第一半导体晶粒和第二半导体晶粒。所述第一半导体晶粒包括高密度凸块和低密度凸块。所述第二半导体晶粒包括高密度凸块和低密度凸块。所述第一半导体晶粒的高密度凸块和第二半导体晶粒的高密度凸块电连接到所述高密度嵌体。所述第一半导体晶粒的低密度凸块和所述第二半导体晶粒的低密度凸块电连接到所述低密度基板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶粒 凸块 半导体装置 密度基板 电连接 嵌体 空腔 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：低密度基板；高密度嵌体，位于所述低密度基板中的空腔内；第一半导体晶粒，包括高密度凸块和低密度凸块；以及第二半导体晶粒，包括高密度凸块和低密度凸块，其中所述第一半导体晶粒的所述高密度凸块和所述第二半导体晶粒的所述高密度凸块电连接到所述高密度嵌体，并且所述第一半导体晶粒的所述低密度凸块和所述第二半导体晶粒的所述低密度凸块电连接到所述低密度基板。
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